• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт             15
  Проектная норма, мкм                           2.0
  Подложка:                            460КДБ10 (111)
  Скрытые слои:       2,5КЭС35/1,95КДБ210
  Эпитаксиальный слой:              1.5КЭФ0.3
  Изоляция: LOCOS + p+ - охранные кольца
  Глубина p-базы, мкм                           0.854
  Глубина N+эмиттера, мкм                   0.55
  Размер эмиттера, мкм                           2*3
  Расстояние между 
  транзисторами, мкм                                   2
  Коммутация:
  контакты 1, мкм                                       2*3
  шаг 1 металл, мкм                                   6.5
  контакты 2, мкм                                      4*4
  шаг 2 металл, мкм                                10.0
• Применение, элементная база:

  Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В

  Вертикальный NPN транзистор:
  Вп=100 Uсе=8 В
  Горизонтальный PNP транзистор:
  Вр=25 Uce=20 В

  Резисторы в слое: База