20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”
20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”
- Характеристика процесса: Количество
фотолитографий, шт. 12-14
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 8КЭФ1.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 7*7
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 12.0 - Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=27 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=30 Uсе=35 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=45 Uсе=35 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=30 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.