• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт                              10-13
  Проектная норма, мкм                                                2.0
  Подложка:                                                     460КДБ10 (111)
  Скрытые слои:                                     6КЭС20/1.95КДБ210
  Эпитаксиальный слой:                                           8КЭФ4.5
  Изоляция:                                                          p-n переход
  Глубина p-базы, мкм                                                   2.4
  Глубина N+эмиттера, мкм                                          1.7
  Размер эмиттера, мкм                                                 6
  Расстояние между транзисторами, мкм                     6
  Коммутация:  контакты 1, мкм                                     4
  шаг 1 металл, мкм                                                       13
• Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
  Вертикальный NPN:
  Вn=150 Uce=28 В
  Горизонтальный РNP:
  Вр=35 Uсе=45 В
  Вертикальный РNP:
  Вр=35 Uсе=45 В
  Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
  Резисторы в слое ПКК