БиКМОП
200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 19
Средняя проектная норма, мкм 4.0
Подложка: 460КДБ12 (100)
Скрытые слои: 30КЭС5,5/300КДБ2.0
Эпитаксиальный слой 27КЭФ8.0
Изоляция: p-n переход
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина базы NДMOП, мкм 3.0
Подзатворный SiO2, Å 900
Глубина p-базы NPN, мкм 2.5
Глубина N+эмиттера, мкм 0.8
Межслойный диэлектрик СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм
Длина канала по затвору:
N/PДMOП, мкм 6
шаг ПКК, мкм 8
контакты, мкм 4
шаг по металлу, мкм 12 -
Применение, элементная база:
Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В
Вертикальный NPN:
Вп=70 Uсе=50 В
NДMOП: Vtn= 2.0 B,
Usd >200 В
PДMOП: Vtp= -1.0 B,
Usd >200 В
NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В
Резисторы в слое:
База NPN, Р-сток, ПКК.
Емкости: ПКК-Si (SiO2 900 Å)
ПКК-Al (SiO2 1600 Å)