• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                        19
  
  Средняя проектная норма, мкм                  4.0
  
  Подложка:                                 460КДБ12 (100)
  
  Скрытые слои:                30КЭС5,5/300КДБ2.0
  
  Эпитаксиальный слой                      27КЭФ8.0
  
  Изоляция:                                      p-n переход
  
  Глубина P-кармана, мкм                              6.5
  
  Глубина базы NДMOП, мкм                           3.0
  
  Подзатворный SiO2, Å                                   900
  
  Глубина p-базы NPN, мкм                              2.5
  
  Глубина N+эмиттера, мкм                             0.8
  
  Межслойный диэлектрик  СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм
  
  Длина канала по затвору:
  
  N/PДMOП, мкм                                                   6
  
  шаг ПКК, мкм                                                     8
  
  контакты, мкм                                                   4
  
  шаг по металлу, мкм                                        12 
• Применение, элементная база: Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В
  
   
  
  Вертикальный NPN:
  
  Вп=70 Uсе=50 В
  
  NДMOП: Vtn= 2.0 B,
  
  Usd >200 В
  
  PДMOП: Vtp= -1.0 B,
  
  Usd >200 В
  
  NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В
  
   
  
  Резисторы в слое:
  
  База NPN, Р-сток, ПКК.
  
   
  
  Емкости: ПКК-Si (SiO₂ 900 Å)
  
  ПКК-Al (SiO2 1600 Å)