• Прототип: SS8550D
• Тип корпуса: КТ-26
• Диапазон температур: -45 +85 °С
• fгр, МГц: 100
• h21е: 160...300
• Iк max, мА: 1500
• Рк max, Вт: 1
• Полярность: PNP
• Uэб max, В: 6
• Uкэ max, В: 25
• Uкэ нас, В: 0,5
• Uкб max, В: 40