1264ЕН12АП1ИМ
-
Uвых =12В
КТ-97В
1264ЕН9АП1ИМ
LT1083-9.0
Uвых =9,0В
КТ-97В
1264ЕН5АП1ИМ
LT1083-5.0
Uвых =5,0В
КТ-97В
1264ЕН3АП1ИМ
LT1083-3.3
Uвых =3,3В
КТ-97В
1264ЕН2БП1ИМ
-
Uвых =2,85В
КТ-97В
1264ЕН2АП1ИМ
LT1083-2.5
Uвых =2,5В
КТ-97В
1264ЕН1АП1ИМ
LT1083-1.25
Uвых =1,25В
КТ-97В
1325ЕН5У
AMS1117-5.0
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения с фиксированными выходными напряжениями: 5В; Выходной ток – Iвых ≤ 0.8А
КТ-93-1
1325ЕН3.3У
AMS1117-3.3
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения с фиксированными выходными напряжениями: 3.3В; Выходной ток – Iвых ≤ 0.8А
КТ-93-1
1325ЕН3У
AMS1117-3.0
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения с фиксированными выходными напряжениями: 3В; Выходной ток – Iвых ≤ 0.8А
КТ-93-1
1325ЕН2.85У
AMS1117-2.85
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения с фиксированными выходными напряжениями: 2.85В; Выходной ток – Iвых ≤ 0.8А
КТ-93-1
1325ЕН2.5У
AMS1117-2.5
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения с фиксированными выходными напряжениями
КТ-93-1
≤ 0,8
1,3
2,7 ÷ 15
2,5
1325ЕН1.8У
AMS1117-1.8
Стабилизатор напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения с фиксированным выходным напряжением.
КТ-93-1
≤ 0.8
1,3
2,7 ÷ 15
1.8
1325ЕР1У
AMS1117A-Adj
Стабилизатор напряжения с малым напряжением насыщения регулируемый положительной полярности Выходной ток – Iо ≤ 800мА Входное напряжение – UI = 2.7В ÷ 15В Выходное опорное напряжение – Uоп= 1.2В ÷ 1.3В
КТ-93-1
5585БЦ1У
Базовый матричный кристалл объемом 500 логических вентилей
H18.64-3B
1635РУ2У/2АУ
CY7C1009
Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8бит)
H18.64-3B
1635РТ1У
Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256 бит и организацией (32х8) бит
H16.48-1B
9000РУ6У
CY7C1051D
КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (512К х16 бит)
5134.64-6
9000РУ5У
-
КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (256К х 32 бит)
5134.64-6
9000РУ4У
ACT-S512K32
КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 16Мбит (512К x 32 бит)
5134.64-6
1669РА035
ACT-S512K8
Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит)
5134.64-6
1669РА025
CY7C1041D
Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит)
5134.64-6
1669РА015
ACT-S128K32
Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит)
5134.64-6
9001РТ1У
Многокристальный модуль ПЗУ с однократным программированием информационной ёмкостью 512 Кбит (64К х 8) бит
5134.64-6
1642РК2У
IDT7007
ОЗУ статическое с двумя портами ввода – вывода информационной емкостью 256 Кбит (32К х 8) бит
5134.64-6
1666РЕ014
Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит
4184.32-1
1642РГ1ТБМ
IDT7205L
ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO
4183.28-4
1635РУ1Т/AT
CY7C199-20DMB
Статическое ОЗУ информационной емкостью 256К (32К х 8)
4183.28-2
5584ИР35АТ
74VHC273
Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с входом установки
4153.20-6
5584ИР35Т
74VHC273
Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с входом установки
4153.20-6
RU
CN
BY
EN
