МЕНЮ Филиалу "Камертон" - 45 лет!
RU
Выбрать язык
CN BY EN
Электронная компонентная база устойчивая к СВВФ

Электронная компонентная база устойчивая к СВВФ

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур Организация, бит Ток потребления Iсс, мА,не более Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более
588ВА1/1А/1Б 8-разрядный магистральный приемо-передатчик 4119.28-3        
588ВС2Б Арифметическое устройство микропроцессора 429.42-5        
Б1623РТ1-4 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) Кристалл
 
       
Б541РУ2-4 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит) Кристалл        
Б541РУ1-4 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит) Кристалл        
Б541РТ2-4 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит) Кристалл        
Б541РТ1-4 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит) Кристалл        
512ПС11 Преобразователь “Частота-код” 429.42-5 -60 +125 °С      
512ПС10 Временное устройство с переменным коэффициентом деления 402.16-23 -60 +100 °С      
512ПС8 Временное устройство с коррекцией 402.16-23 -60 +85 °С      
512ПС6 Временное устройство с переменным коэффициентом деления 401.14-5М -60 +85 °С      
512ПС5 Временное устройство с переменным коэффициентом деления 401.14-5М -60 +85 °С      
1623PT2Б Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) 4119.28-6 -60 +85 °С 8192 х 8 50 0,04
М1623РТ1Б Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) 210Б.24-1 -60 +85 °С 2048 х 8   0,04
537РУ14Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С 4096 х 1 35 0,005
537РУ14А Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С 4096 х 1 35 0,005
537РУ13 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С 1024 х 4 60 0,01
537РУ3Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С 4096 х 1 20 0,001
537РУ3A Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С 4096 х 1 20 0,001
1617РУ14Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С 4096 х 1 55 0,001
1617РУ14А Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С 4096 х 1 55 0,001
1617РУ13Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С 1024 х 4 55 0,001
1617РУ13A Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С 1024 х 4 55 0,001
588ИР2 12-разрядный адресный регистр 4119.28-1.01 -60 +125 °С      
588ИР1 Многофункциональный буферный регистр 4119.28-1.01 -60 +125 °С      
588ВУ2В Устройство микропрограммного управления микропроцессором 429.42-5 -60 +125 °С      
588ВУ2Б Устройство микропрограммного управления микропроцессором 429.42-5 -60 +125 °С      
588ВУ2А Устройство микропрограммного управления микропроцессором 429.42-5 -60 +125 °С      
588ВТ2 Схема управления памятью 4134.48-2 -60 +125 °С      
588ВТ1 Селектор адреса 429.42-5 -60 +125 °С      

Задать вопрос