Интеграл сегодня

Кристальное производство

Кристальное производство - чистые комнаты и линии по формированию структур ИМС и дискретных приборов на полупроводниковых пластинах.

Суммарно производственные мощности кристального производства, классы 1, 10, 100, 1000 составляют:

Обработка пластин Ø200 мм с проектными нормами 0,35 мкм - 8,4 тыс. шт./год
Обработка пластин Ø150 мм с проектными нормами 0,8 мкм - 78,5 тыс. шт./год
Обработка пластин Ø100 мм с проектными нормами 1,2 мкм - 355 тыс. шт./год
Обработка пластин Ø100 мм с проектными нормами 2,0 мкм - 180 тыс. шт./год

Производство пластин

Пластины монокристаллического кремния (ПМК) диаметром 100, 150, 200 мм
для производства микроэлектронных приборов:

- диаметром 100 мм для микроэлектронных приборов с проектными нормами более 1,2 мкм;
- диаметром 150 мм для микроэлектронных приборов с проектными нормами 0,8 мкм;
- диаметром 200 мм для микроэлектронных приборов с проектными нормами 0,5 - 0,35 мкм.

Мощности:

Производство пластин монокристаллического кремния (ПМК) для микроэлектронных приборов

- диаметром 100 мм - 805 тыс. шт. в год;
- диаметром 150 мм - 150 тыс. шт. в год;
- диаметром 200 мм - 10 тыс. шт. в год.

Чистые помещения:

- класса 1 – 195 кв. м.
- класса 10 – 920 кв. м.
- класса 100 – 1635 кв. м.
- класса 1000 – 6500 кв. м.
- класса 10000 – 4133 кв. м.
- класса 100000 – 16287 кв. м.

Технологические возможности кристального производства:

- КМОП технология, 035 мкм, 2 ПКК, 3 Ме
- БиКМОП технология, 0,8 мкм, 3 ПКК, 2 Ме
- Высоковольтная КМОП технология, 0,8 мкм, 2 ПКК, 1Ме
- Биполярные технологии, 1,5…5 мкм, 1-2 Ме
- БиКДМОП, ДМОП технологии, 0,8…2 мкм, 1 Ме
- Технология биполярных СВЧ транзисторов
- Технологии диодов Шоттки
- Планарная технология изготовления тиристоров с разделением встречной диффузией
- Эпитаксиально-планарная и диффузионно-планарная технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов, в том числе мощных высоковольтных транзисторов

Сборочное производство

После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину разрезают на отдельные кристаллы (чипы).
При корпусировании кристаллы (чипы) приклеивают на специальное посадочное место и с помощью проволоки (сварка) устанавливают электрические соединения с выводами корпуса. После чего корпус герметизируют.

Сборочная линия по корпусированию дискретных приборов:

- класс: 10000; 24,4 млн. шт./год

Сборочная линия по корпусированию микросхем:

- класс: 10000; 4,5 млн. шт./месяц (пластиковые корпуса)

1 млн. шт./месяц (металлокерамические корпуса)

- класс 100000; 34,5 млн. шт./год

Технологии сборочного производства:

Сборка микросхем в пластмассовые корпуса типа:

SO, DIP, P-SOT223-4-1, P-SOT223-4-2, P-TO-5-11, P-TO-5-12, TO-220AB/5, TO-220AB/7, P-TO-220-7-180, P-TO-220-7-230, SIL-3P, SIL-9P, SIL-9MPF, DBS-9P, DBS-9MPF, SOT523-1, SIL-13P, SIL-15P, QFP-80, QFP-100

Сборка полупроводниковых приборов:

- в пластмассовые корпуса типа: TO-92, TO-126, TO-218, TO-220, DPACK, D2PACK, IPACK, SOT-23,
- в металлостекляные корпуса типа: TO-3, TO-18, TO-72, Case 22A-01.