31 марта 2017

На протяжении долгого времени в филиале «Транзистор» функционировала технологическая лаборатория полупроводниковых приборов и интегральных схем управления главного технолога, специалисты которой большей частью занимались научно-техническим сотрудничеством со сторонними организациями, с БГУИР и физико-техническим институтом Академии наук.
В марте произошла оптимизация структуры предприятия, и лаборатория была ликвидирована, а ее коллектив пополнил штат отдела технологического сопровождения кристального производства филиала «Транзистор» УГТ. Однако наряду с задачами технологического сопровождения кристального производства, сотрудники бывшего подразделения выполняют и научно-технические работы. Сейчас технологи трудятся над несколькими совместными проектами, которые позволят расширить возможности организации.
Об одном из них рассказал бывший начальник технологической лаборатории, а ныне ведущий инженер-технолог отдела Олег Сарычев:
  Мы работаем на государственного заказчика, в качестве которого выступает Министерство промышленности, научно-технические работы носят прикладной характер. Сейчас пытаемся воспроизвести ТРЕНЧ диод Шоттки. Это мощный выпрямительный полупроводниковый прибор, в типовой структуре которого используются канавки для формирования вертикальных МОП структур. Дело в том, что обычная планарная конструкция диода Шоттки себя уже изжила. Поясню. Основные электрические параметры диода Шоттки при планарной конструкции зависят от так называемой высоты барьера Шоттки. Если ее увеличить, уменьшается обратный ток утечки, что хорошо. Но при этом также увеличивается прямое напряжение, что нежелательно. И наоборот. Это физическое противоречие просто так не обойдешь. Известная фирма Vishaу для решения проблемы использовала структуру ТРЕНЧ – «траншеи» или канавки, которые планарную структуру диода Шоттки превращают в трехмерную. За счет вертикальных МОП структур удается получить малый уровень как обратного тока, так и прямого напряжения. Проанализировав продукцию этой фирмы, мы пришли к выводу, что хотя структура и простая, но рассчитана на 0,35 микронную проектную норму. Такие проектные нормы применяются на производстве 12. Но там используются пластины диаметром 200 мм, изготовление кристаллов диодов Шоттки на которых экономически нецелесообразно. Поэтому приняли решение делать ее на производстве № 3 под другие проектные нормы. Работа в самом разгаре. Уже получены годные кристаллы, исследуются их электрические и электрофизические параметры. В ближайшее время надеемся отправить изделия на опробование потенциальным потребителям.