9 июня 2017

Производство № 2 заняло первое место в четвертой группе по итогам трудового экономического соревнования 2016 года. Начальник подразделения Виктор Иванов рассказал о причинах успеха и поделился цифрами последнего времени, сведениями о новых изделиях и качестве продукции.
– Виктор Васильевич, каким выдалось второе полугодие 2016-го – начало 2017-го?
– Довольно удачным. Во втором полугодии прошлого года существенно возрос план. Если товарная продукция за первое полугодие составила 2 875 тысяч деноминированных рублей, то во втором – уже 4 804 тысячи. Увеличение на 167% позволило загрузить людей, обеспечить фонд заработной платы. Рост производительности труда превысил темпы роста средней заработной платы, что, как известно, является основанием для повышения зарплаты.
Если сравнивать I квартал с аналогичным периодом 2016-го, то здесь также наблюдается положительная динамика: 1 694 тысячи рублей товарной продукции против прошлогодних 1 450 тысяч рублей.
– Планы по товарной продукции выполнены?
–За январь 2017-го план выполнен на 100,3%, за февраль – 106,6%, за март – 102,7%, за апрель – 101,3%. В количественном выражении в январе изготовлено 19 507 эпитаксиальных структур со скрытым слоем, в феврале – 21 990, в марте – 20 595, в апреле – 20 306.
Количество проблем по эпитаксии значительно уменьшилось, оборудование работает практически без сбоев.
– Как обстоят дела с модулем эпитаксии?
– Работаем достаточно стабильно, на уровне. После введения модуля в эксплуатацию новые установки и инфраструктура позволили существенно повысить качество эпитаксиальных структур.
В 2015 году техпроцессы только осваивались. Но в 2016-м перевод производства на новые установки завершился. Благодаря этому филиал «Транзистор» отказался от закупки импортных эпитаксиальных структур: двухслойной эпитаксии, структур для диодов Шоттки и так далее.
Новое оборудование уменьшило влияние субъективного человеческого фактора. Думаю, в будущем возрастет роль инженеров, пишущих программы.
– На каком этапе находится освоение двухстадийной эпитаксии?
– Завершены работы по подавлению эффекта автолегирования эпитаксии бором при наращивании эпитаксиальных структур со скрытыми слоями. Процесс проводится в две стадии: первая – нанесение тонкого подслоя кремния при температуре существенно ниже, чем при росте основного эпитаксиального слоя. Данная технология позволила практически полностью исключить забракование изделий на производстве № 3 по причинам, связанным с так называемым «поднятием подложки».
– Какие новые изделия освоены?
– В рамках работ по импортозамещению внедрен в производство техпроцесс изготовления эпитаксиальных структур для изделий 2ДШ142 и 2Е802А-5. Освоена технология полировки шипов после эпитаксии на изделии КТ8225, вследствие чего из маршрута исключен блок операций «Раздавливание шипов» на производстве № 4 и повышено качество эпитаксиальных структур.
– Есть положительные тенденции по энергосбережению?
– На производстве реализуется план мероприятий по экономии топливно-энергетических ресурсов. Достигнуто оптимизация процесса эпитаксиального наращивания, уменьшилось соотношение контрольных и рабочих процессов. Благодаря этому экономия за 2017 год составит 214 200 кВт/ч. Производство постоянно проводит работы по сокращению расхода энергоносителей.