1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм

1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм

Характеристика процесса: 
Количество фотолитографий, шт.       11
Проектная норма, мкм                      1.6
Подложка:            КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм               5/6
Подзатворный SiO2, Å                     300
Межслойный диэлектрик – БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм     2.0
шаг ПКК, мкм                                    3.2
контакты, мкм                                 ø 1.5
шаг металла, мкм                              3.6
Применение, элементная база: 
Цифровые ИМС средней степени интеграции для ЭНЧ и микрокалькуляторов 
Eпит от 1.5 В до 3 В.
 NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В

Похожие товары

Обозначение Характеристика процесса Применение, элементная база PDF
15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор

Количество фотолитографий, шт.           9 
Проектная норма, мкм                        5,0 
Подложка:                    460 КЭФ4.5 (100) 
Глубина  P-кармана, мкм                    10 
Подзатворный SiO2, Å                       950 
Межслойный диэлектрик              СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       5/6 
шаг ПКК, мкм                                     5.5 
контакты, мкм                                     ø 2
шаг по металлу, мкм                              8

Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 20В.
NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла
Количество фотолитографий, шт.          14
Проектная норма, мкм                           1.5
Подложка:                                      КЭФ4.5
Глубина N/P-кармана, мкм                    5/5
Межслойный диэлектрик:                 БФСС
Межуровневый диэлектрик:                 ПХО
Подзатворный SiO2, Å                          245
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм   1.4/2.0
N LDD- стоки
шаг ПКК,мкм                                        3.4
контакты 1, мкм                              1.5*4.5
шаг металл 1, мкм                                6.0
контакты 2, мкм                               3.0*4.5
шаг металл 2, мкм                                 9.5
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В
5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл
Количество фотолитографий, шт.    11
Проектная норма, мкм                    2.0
Подложка:         КЭФ 4.5, ь 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм              6/7
Подзатворный SiO2, Å              425/300
Межслойный диэлектрик:    БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм    2.5
шаг ПКК, мкм                                     4.5
контакты, мкм                              2.4*2.4

шаг металл, мкм                               8.5

Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В.
NMOS:
Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В
5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм
Количество фотолитографий, шт.     17
Проектная норма, мкм                       1.6
Подложка: КДБ-12                  2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм                5/6
Подзатворный SiO2, Å                      425
Туннельный SiO2, Å                           77
Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å         350
Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å       7000
Встроенные транзисторы
Длина канала: NMOS/PMOS
низковольтные транзисторы, мкм     2.4
высоковольтные транзисторы, мкм   3.6
шаг ПКК1, мкм                                   3.2
шаг ПКК2, мкм                                   4.2
контакты, мкм                                  ø1.2

шаг по металлу, мкм                          4.4

ЭСППЗУ средней степени интеграции с Епит от 2,4 В до 6 В
NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В
Usd >=12 В
PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В    Usd ≤-12 В
HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd ³17В
HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd ≤-16 В
5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм
Количество фотолитографий, шт.         23
(с метками)
Проектная норма, мкм                        1.2
Подложка: КДБ-12,  2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6
Подзатворный SiO2:
низковольтные транзисторы, Å           250
высоковольтные транзисторы, Å         350
Туннельный SiO2, Å                              77
Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å              350
Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å           7000
Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО
Длина канала:
низковольтные NMOS/PMOS, мкм   1.4/1.6
высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6
N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
шаг ПКК1, мкм                                  3.2
шаг по ПКК2 без контакта, мкм          2.4
шаг по ПКК2 с контактом, мкм           4,6
контакты-1, мкм                             ø 1.2
шаг по металлу 1 без контакта, мкм  3.2
шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,4
контакты 2, мкм                             ø 1.4
шаг по металлу 2 без контакта, мкм    4.4

шаг по металлу 2 с контактом, мкм     4,8

ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп от 2,4 В до 6 В
 
LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd³12 В
LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd ≤-12 В
HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd³17 В
HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd ≤-15 В
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм
Количество фотолитографий, шт.          16
Проектная норма, мкм                           1.5
Подложка:        КДБ12,   2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм                     5/6
Межслойный диэлектрик:   БФСС
Подзатворный SiO2, Å                           250
Межслойный диэлектрик:   БФСС
Встроенные транзисторы в ПЗУ
Скрытые контакты
длина канала NMOS/PMOS, мкм       1.5
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм                                   2.5
контакты, мкм                                ø 1.5
шаг по металлу, мкм                         3.5
Цифровые ИМС. микроконтроллеры с Епит=5 В
NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B
5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм
Количество фотолитографий, шт.           17
Проектная норма, мкм                          1.5
Подложка:                     КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм                    5/6
ПKK резисторы Р-типа
Биполярный вертикальный NPNтранзистор
Подзатворный SiO2, Å                         250
Межслойный диэлек трик:   БФСС
длина канала NMOS/PMOS, мкм          1.7
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм                                      2.5
контакты, мкм                                    ø 1.3

шаг по металлу, мкм                             3.5

Схемы контроллеров напряжения питания
NMOS:
Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS:
Vtp= 0.5 B, Usd >10 В
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм
Кол-во фотолитографий, шт.          14 (16)
Проектная норма, мкм                        0.8
Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм               4/4
Межслойный диэлектрик:   БФСС
Подзатворный SiO2, Å               130 / 160
длина канала NMOS/PMOS, мкм   0.9/1.0
N и P LDD- стоки
металл I                            Ti-TiN/Al-Si/TiN
шаг ПКК, мкм                                     1.9
контакты 1, мкм                               ø 0.9
шаг по металлу 1, мкм                        2.2
металл 2                                    Al-Si/TiN
контакты 2, мкм                             ø   0.9
шаг по металлу 2, мкм                        2.4
ИС для телефонии, заказные ИС с Eпит. от 3 В до 5 В
 NMOS: 
Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS: 
Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм

Кол-во фотолитографий, шт.    14 (16)

Проектная норма, мкм                  0.8
Подложка:           КЭФ4.5 или КДБ12
2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм          4/4
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05
Подзатворный SiO2, Å           130 / 160
длина канала
NMOS/PMOS, мкм                   0.9/1.0
N и P  LDD- стоки
металл I                       Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг ПКК, мкм                                 1.9
контакты 1 (заполнены W), мкм       0.7
шаг по металлу 1, мкм                    2.2
металл 2                                  /Ti/AlCu
контакты 2 (заполнены W), мкмø      0.7

шаг по металлу 2, мкм                    2.4

ИМС для телефонии, заказные ИМС с  Uпит от 3 до 5 В
 NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор
Количество фотолитографий, шт.            9
Проектные нормы, мкм                3,0 – 5,0
Подложка:                                          КЭФ4.5
Глубина P-кармана, мкм                        6-8
Подзатворный SiO2, Å                            800
Межслойный диэлектрик – СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм             3
шаг ПКК, мкм                                           10
контакты, мкм                                            5

шаг по металлу, мкм                                12

Часовые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 1.5В.
NMOS:
Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА
5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл
Количество фотолитографий, шт.         11
Проектные нормы, мкм                       2.0
Подложка:                                  КЭФ 4.5
Глубина N/P-кармана, мкм                   6-8
Подзатворный SiO2, Å                  425/300
Межслойный диэлектрик:                БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм         3-4
шаг ПКК, мкм                                       10
контакты, мкм                                      4*4

шаг металл, мкм                                   10

Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В

NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В

PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В

1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме
Количество фотолитографий, шт.          11
Проектные нормы, мкм                        1.2
Подложка:                                     КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм                   5/6
Подзатворный SiO2, Å                   250-300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм    1.4/1.6
шаг ПКК, мкм                                    2.8
контакты, мкм                                 1.6х1.6
шаг металл 1, мкм                                 3.4

шаг металл 2, мкм                                 3.0

КМОП БМК
NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В
1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка
Количество фотолитографий, шт.       11
Проектные нормы, мкм                     1.2
Подложка:                                  КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм               5/6
Подзатворный SiO2, Å               250-300
Межслойный диэлектрик:             БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       2.0
контакты, мкм                              2.0х2.0
шаг металл 1, мкм                                8
шаг металл 2, мкм                              10
КМОП БМК
NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В