Биполярная технология из готовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона

Биполярная технология из готовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона

Характеристика процесса: 

Эпитаксиальная структура 
Подложка                              КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм  27-38
Удельное сопротивление,  Ом x см          8-21 
6-7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
глубина, мкм                                             6-8
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                       2,5-5,5
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 4,5  мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация:  НТФСС

Применение, элементная база: 

Uкб=(330-350) B
Uкэ=(150-350) В
Iк=(5-15) А
h21э>100

Похожие товары

Обозначение Характеристика процесса Применение, элементная база PDF
20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”

Количество фотолитографий, шт.     8-13
Средняя проектная норма, мкм        6.0
Подложка:                         460КДБ10 (111)
Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:                9КЭФ2.0
Изоляция:                                  p-n переход
Глубина p-базы, мкм                             2.2
Глубина N+эмиттера, мкм                   1.7
Размер эмиттера, мкм                         9*9
Расстояние между 
транзисторами, мкм                                 4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                     3*3
шаг 1 металл, мкм                                  9.0
контакты 2, мкм                                      4*4
шаг 2 металл, мкм                                12.0

Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме- n +;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.

20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”

Количество 
фотолитографий, шт.                       12-14
Средняя проектная норма, мкм      6.0
Подложка:                       460КДБ10 (111)
Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:            8КЭФ1.5
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                           2.0
Глубина N+эмиттера, мкм                 1.7
Размер эмиттера, мкм                        7*7
Расстояние между
транзисторами, мкм                                4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                    3*3
шаг 1 металл, мкм                                9.0
контакты 2, мкм                                    4*4
шаг 2 металл, мкм                              12.0

Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В

Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=27 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=30 Uсе=35 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=45 Uсе=35 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=30 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.

40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”

Количество фотолитографий, шт 8-13
Средняя проектная норма, мкм      8.0
Подложка:                   460КДБ10 (111)
Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:        13КЭФ3.5 
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                        2.0
Глубина N+эмиттера, мкм               1.7
Размер эмиттера, мкм                     9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм                            4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                3*3
шаг 1 металл, мкм                            9.0
контакты 2, мкм                               4*4 
шаг 2 металл, мкм                          14.0

Цифроаналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 40В

Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=48 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=60 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=60 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
Поликремний

5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5”

Количество фотолитографий, шт             15
Средняя проектная норма, мкм           3.0
Подложка:                            460КДБ10 (111)
Скрытые слои:       2,5КЭС35/1,95КДБ210
Эпитаксиальный слой:              1.5КЭФ0.3
Изоляция: LOCOS + p+ - охранные кольца
Глубина p-базы, мкм                           0.854
Глубина N+эмиттера, мкм                   0.55
Размер эмиттера, мкм                           2*3
Расстояние между 
транзисторами, мкм                                   2
Коммутация:
контакты 1, мкм                                       2*3
шаг 1 металл, мкм                                   6.5
контакты 2, мкм                                      4*4
шаг 2 металл, мкм                                10.0

Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В

Вертикальный NPN транзистор:
Вп=100 Uсе=8 В
Горизонтальный PNP транзистор:
Вр=25 Uce=20 В

Резисторы в слое: База

Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации

Количество фотолитографий, шт.    7-10
Средняя проектная норма, мкм          4-5
Подложка:                         460КДБ10 (111)
Скрытые слои:            5КЭС25/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой:            13,3КЭФ3,6
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                        1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм                0,9-2,2
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Межслойный диэлектрик СТФСС
Металлизация: алюминий 1,4 мкм
Пассивация: НТФСС 1,0 мкм

Вертикальный NPN:
h21э=(100-300)
Uкэ≥38 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥20
Uкэ≥38 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; резистор.

Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации

Количество фотолитографий, шт.                 11-13
Средняя проектная норма, мкм                      4-5
Подложка:                                       460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                       5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой:                       10КЭФ1,25
Изоляция:                     p-n переход
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Слои база, резистор – методом ионной имплантации
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Глубина p-базы, мкм                                   1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм                         0,9-2,2
1-ый межслойный диэлектрик:  СТФСС+Si3N4
2-ой межслойной диэлектрик:                 НТФСС
1-ый уровень металлизации: AlSiCuTi  0,55 мкм
2-ой уровень металлизации:        AlSi, Al-1,4 мкм
Пассивация:  НТФСС 1,0 мкм

Вертикальный NPN:
h21э=(80-200)
Uкэ≥18 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥40
Uкэ≥20 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; резистор.

Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В

Подложка:                                                КОФ 102-90
8 фотолитографий (контактная):
База: ионная имплантация глубина, мкм   20-26
Эмиттер:        диффузия,
глубина, мкм                                                        10-15 
Защита p-n перехода коллектор – база:  SiPOS
Металлизация:  алюминий 4,5 мкм
Радиационная обработка для обеспечения динамики.
Матирование обратной стороны
Обратная сторона:  напыление Ti-Ni-Ag

Uкэ=1500 B
Uкэ=(700-800) В
Iк=(5-12) А

Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В

Эпитаксиальная структура 
Подложка:                                      КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм      35,50
Удельное сопротивление, Ом-см                  23 
7-8 фотолитографий (контактная)
База:  ионная имплантация,
глубина, мкм                                                 2,8-4,6
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                                 1,4-2,8
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag(Sn-Pb-Sn)
Пассивация:  НТФСС

Uкб=(160-300) B
Uкэ=(160-300) В
Iк=(0,1-1,5) А
h21э>25

Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В

Эпитаксиальная структура 
Подложка:                                     КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм     50-80
Удельное сопротивление, Ом-см            40-50 
7-8 фотолитографий (контактная)
База:  ионная имплантация,
Глубина, мкм                                                2,8-4,6
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                                 1,4-2,8
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4; 4,5  мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация: ТФСС

Uкб=(300-700) B
Uкэ=(300-400) В
Iк=(0,5-8,0) А
h21э=(8-40)

Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В

Эпитаксиальная структура 
Подложка                                      КДБ 0,03 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм    40-45
Удельное сопротивление, Ом x см         40-50
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                   3-5,5
Эмиттер: диффузия бора
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Sn-Pb-Sn

Uкб=(250-300) B
Uкэ=(200-250) В
Iк=(0,4-0,5) А
h21э>40

Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А

Эпитаксиальная структура 
Подложка                                      КДБ 0,05 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм    25-28
Удельное сопротивление, Ом x см             8-11
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                4,5-7,5
Эмиттер: диффузия бора, 
глубина, мкм                                                1,4-2,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al  4,0  мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Uкб=(80-160) B
Uкэ=(30-90) В
Iк=(7,5-16) А
h21э>15

Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона

Эпитаксиальная структура 
Подложка                                          КДБ 0,05 (111):
Толщина слоя, мкм                                         25-33
Удельное сопротивление, Ом x см               10-18 
6,7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                          6-8
Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм  2,5-5,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al  4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Uкб=(60-70) B
Uкэ=(60-70) В
Iк=(2,0-12) А
h21э>500

Технология изготовления тиристоров, триаков

Подложка                                                        КОФ35,
10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя)
База: диффузия бора,
глубина, мкм                                                     35-45
Катод: диффузия фосфора, 
глубина, мкм                                                     15-18
Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС
Металлизация:Al 2,0 мкм
Пассивация:  НТФСС, Si3N4, 
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Iос=2,0 А
Uпроб=(600-800) В

Диоды Шоттки с Мо барьером

Количество фотолитографий, шт.              4
размер мм        1                   0. 76х0.76 - 4х4
Подложка:                     460КЭМ0.0035 (111)
Эпитаксиальный слой:      4.5КЭФ(0.6-0.8)
Изоляция:   p-n переход с полевым окислом
Металлизация  Аl + Mo-Ti-Ni-Ag

Кремниевые быстро действующие 
диоды для импульсных 
источников питания.
U обр.В        40 – 150
I обр.мка     < 250
Iпр. мах. А    1 - 30

15 В с изоляцией p-n переходом

Количество фотолитографий, шт                               10-13
Средняя проектная норма, мкм                                    6.0
Подложка:                                                     460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                                     6КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:                                           8КЭФ4.5
Изоляция:                                                             p-n переход
Глубина p-базы, мкм                                                          2.4
Глубина N+эмиттера, мкм                                                1.7
Размер эмиттера, мкм                                                          6
Расстояние между транзисторами, мкм                          6
Коммутация:  контакты 1, мкм                                             4
шаг 1 металл, мкм                                                                13

Цифроаналоговые ИС малой и

средней степени интеграциис Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
Резисторы в слое ПКК.

20 В с изоляцией p-n переходом

Количество фотолитографий, шт.                                     13
Средняя проектная норма, мкм                                     6.0
Подложка:                                                      460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                                        5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой:                                        10КЭФ1,25
Изоляция:                                                              p-n переход
Глубина p-базы, мкм                                                           2.4
Глубина N+эмиттера, мкм                                                 1.7
Размер эмиттера, мкм                                                           6
Расстояние между транзисторами, мкм                           6
Коммутация: контакты 1, мкм                                              4
шаг 1 металл, мкм                                                              13.0
контакты 2, мкм                                                                    4*4
шаг 2 металл, мкм                                                              12.0

Цифроаналоговые ИС малой и средней

степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.