200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

Характеристика процесса: 
Кол-во фотолитографий, шт.                        19
Средняя проектная норма, мкм               4.0
Подложка:                                460КДБ12 (100)
Скрытые слои:              30КЭС5,5/300КДБ2.0
Эпитаксиальный слой                     27КЭФ8.0
Изоляция:                  p-n переход
Глубина P-кармана, мкм                              6.5
Глубина базы NДMOП, мкм                         3.0
Подзатворный SiO2, Å                                  900
Глубина p-базы NPN, мкм                            2.5
Глубина N+эмиттера, мкм                            0.8
Межслойный диэлектрик – СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм
Длина канала по затвору:
N/PДMOП, мкм                                                    6
шаг ПКК, мкм                                                       8
контакты, мкм                                                  ø 4

шаг по металлу, мкм                                        12 

Применение, элементная база: 
Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В
 
Вертикальный NPN:
Вп=70 Uсе=50 В
NДMOП: Vtn= 2.0 B,
Usd >200 В
PДMOП: Vtp= -1.0 B,
Usd >200 В
NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В
 
Резисторы в слое:
База NPN, Р-сток, ПКК.
 
Емкости: ПКК-Si (SiO2 900 Å)

ПКК-Al (SiO2 1600 Å)

Похожие товары

Обозначение Характеристика процесса Применение, элементная база PDF