БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

Характеристика процесса: 
Кол-во фотолитографий, шт.         15
Средняя проектная норма, мкм   2.8
Подложка:                            КДБ 80
Изоляция:                             LOCOS
Глубина P-кармана, мкм              6.5
Глубина N-кармана, мкм              4.5
Глубина базы NДMOП, мкм          2.4
Подзатворный SiO2, Å                 600
Межслойный диэлектрик -
СТФСС, мкм                                 0,6
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм  2.0
контакты, мкм                          2.0х2.0
шаг металл 1, мкм                            8
шаг металл 2, мкм                          10
Применение, элементная база: 
Низковольтные транзисторы
NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В
NPN: h21э = 100-300
Резисторы в слое:
ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.
 
Высоковольтные транзисторы
NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В
PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В

Похожие товары

Обозначение Характеристика процесса Применение, элементная база PDF
БиКДМОП 48 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл
Кол-во фотолитографий, шт.             16
Средняя проектная норма, мкм        3.0
Подложка:                    460КДБ12 (100)
Скрытые слои:         20КЭС6/250КДБ2.0
Эпитаксиальный слой            12КЭФ1.5
Изоляция:                          p-n переход
Глубина P-кармана, мкм                  5.0
Подзатворный SiO2, Å                     750
Межслойный диэлектрик -
СТ ФСС, мкм                                   0,8
ИС исполнительных устройств силовой электроники
Вертикальный NPN:
h21э=25-90 Uсе=20-70 В
Горизонтальный PNP:
h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В
NДMOП: Vtn=1.8-2.6В, Usd=60-100 В
PMOП низковольтный:
Vtp=0.8-1.4 B, Usd =20-35 В
PMOП высоковольтный:
Vtp=1.2-2.2 B , Usd =30-80 В
NMOП транзистор:

Vtn=1.1-1.7 B , Usd =15-25 В

БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл
Кол-во фотолитографий, шт.           15
Средняя проектная норма, мкм     3.0
Подложка:                 460КДБ60 (100)
Изоляция:                        p-n переход
Глубина базы NДMOП, мкм           2.5
Подзатворный SiO2, Å                  750
Межслойный диэлектрик -
СТ  ФСС, мкм                                0,8
ИМС управления импульсным источником питания
Низковольтный NPN:
h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В
Горизонтальный PNP:
h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В
NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd ³30 В
PMOП низковольтный:
Vtp=0.8-2.0 B, Usd ³18 В
PMOП высоковольтный:
Vtp=0.8-2.0 B , Usd ³22 В
NMOП низковольтный:
Vtn=0.8-2.0 B , Usd ³18 В
NMOП высоковольтный:

Vtn=0.8-2.0 B , Usd ³600 В

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

Кол-во фотолитографий, шт.         19

Средняя проектная норма, мкм    4.0
Подложка:               460КДБ12 (100)
Скрытые слои:    20КЭС6/250КДБ2.0
Эпитаксиальный слой       10КЭФ1.5
Изоляция:                      p-n переход
Глубина P-кармана, мкм              6.5
Глубина базы NДMOП, мкм         2.5
Подзатворный SiO2, Å                750
Глубина p-базы NPN, мкм            2.5
Глубина N+эмиттера, мкм            0.5
Межслойный диэлектрик -       
БФСС, мкм                                 0,8
Длина канала по затвору:
N/PMOП, мкм                              ø 4
шаг ПКК, мкм                                7
контакты, мкм                                2
шаг по металлу, мкм                     8
Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В
Вертикальный NPN:
Вп=50 Uсе=20 В
Горизонтальный PNP:
Вр=25 Uсе=20 В
LNДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >90 В
LPДMOП: Vtp= -1.4 B, Usd >90 В
NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В
VNДMOП: Vtn= 2.0 B,
Usd >70 В
Резисторы в слое:
База NДMOП, Р-сток, ПКК.
Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)

ПКК-Al (SiO2 8000 Å)