Центр изделий специального назначения Управления маркетинга и продаж

Телефоны: (+375-17)-298-97-43 начальник - Сурус Александр Иванович
Телефакс:  (+375-17)-398-72-03
 
* - освоение
** - разработка
Part Прототип Функциональное назначение Категория качества Тип корпуса PDF
541РТ1 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования 256х4 ВП, ОСМ 402.16-21
541РТ2 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования 2048х8 ВП, ОСМ 405.24-2
541РУ1 Оперативное запоминающее устройство статическое 4096х1 ВП, ОСМ 427.18-2.03
541РУ2 Оперативное запоминающее устройство статическое 1024х4 ВП, ОСМ 427.18-2.03
1632РТ1Т Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256К и организацией 32768 х 8 разрядов ВП, ОСМ

4119.28-6

1632РТ2Т Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8 бит) ВП

4149.36-1

1635РУ1Т/AT CY7C199-20DMB Статическое ОЗУ информационной емкостью 256К (32К х 8) ВП, ОСМ

4183.28-2

1635РУ2У CY7C1009 Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8бит) ВП

H18.64-3B

1635РУ2Т CY7C1009 (IS61C1024AL) Статическое ОЗУ информационной емкостью 1 Мбит (128Кх8) ВП

4149.36-1

1635РУ3У/3АУ AS7C1024 Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8) ВП

H18.64-3В

1635РУ3T/АТ AS7C31024 Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8) ВП

4149.36-1

1635РТ1У Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256 бит и организацией (32х8) бит ВП

H16.48-1B

1635РТ2У Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 512К и организацией (64Кх8) бит ВП

H18.64-3В

1635РТ3У** - Постоянное запоминающее устройство с однократным программированием (ППЗУ) информационной емкостью 512 Кбит (64 К х 8) бит ВП

Н18.64-3В

1635РУ4У* Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит ВП

Н18.64-3В

1644РС1ТБМ 24FC65 ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом информации (8Кх8) ВП, ОСМ

4153.20-1.01

1644PC1ATБM 24FC65 ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом информации (8Кх8) ВП, ОСМ

4153.20-1.01

1644РС2Т АТ24С256 ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом с I2C интерфейсом информационной емкостью 256 Кбит (32 К х 8) бит ВП

4183.28-2

1835РЕ2Т-XX Масочное ПЗУ емкостью 1 Мбит с организацией 128Кх8 ВП, ОСМ

4119.28-6

1642РГ1РБМ IDT7205L ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO ВП

2121.28-6

1642РГ1ТБМ IDT7205L ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO ВП

4183.28-4

1642РГ1УБМ IDT7205L ОЗУ статическое (8Kx9) типа FIFO ВП

Н16.48-1В

1642РК1УБМ IDT7005 2-х портовое статическое ОЗУ информационной ёмкостью 64Кбит (8К x 8 бит) ВП, ОСМ*

Н18.64-3В

1642РК2У IDT7007 ОЗУ статическое с двумя портами ввода – вывода информационной емкостью 256 Кбит (32К х 8) бит ВП

5134.64-6

9001РТ1У Многокристальный модуль ПЗУ с однократным программированием информационной ёмкостью 512 Кбит (64К х 8) бит ВП

5134.64-6

1655РР1Т* AT28C256 ЭСППЗУ FLASH типа с многократным электрическим перепрограммированием с параллельной записью/ считыванием данных информационной емкостью 256 Кбит (32 К х 8 бит)

4183.28-2

1659РУ1Т НХ6356 ОЗУ статическое информационной емкостью 256 Кбит (32 К х 8) бит на основе КНИ - технологии ВП

4183.28-4

1666РЕ014 Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит ВП

4184.32-1

1617РУ13A Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) ВП

427.18-1.02

1617РУ13Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) ВП

427.18-1.02

1617РУ14А Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит) ВП

427.18-1.02

1617РУ14Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) ВП

427.18-1.02

537РУ3A Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) ВП, ОСМ

427.18-2.03

537РУ3Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) ВП, ОСМ

427.18-2.03

537РУ13 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) ВП, ОСМ

427.18-2.03

537РУ14A Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) ВП, ОСМ

427.18-2.03

537РУ14Б Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) ВП, ОСМ

427.18-2.03

M1623PT1A HM6616 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) ВП

210Б.24-1

M1623PT1Б Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) ВП

210Б.24-1

1623PT2A HM6664 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) ВП, ОСМ

4119.28-6

1623PT2Б Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) ВП, ОСМ

4119.28-6

Б541РТ1-4 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит) ВП

Кристалл

Б541РТ2-4 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит) ВП

Кристалл

Б541РУ1-4 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит) ВП

Кристалл

Б541РУ2-4 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит) ВП

Кристалл

Б1623РТ1-4 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) ВП

Кристалл
 

1635РТ2Н4 Постоянное запоминающее устройство с возмож-ностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 512Кбит (64К x 8 бит) ВП

Кристалл
 

1669РА015 ACT-S128K32 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит) ВП

5134.64-6

1669РА01Н4 ACT-S128K32 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит) ВП

Кристалл

1669РА025 CY7C1041D Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит) ВП

5134.64-6

1669РА02Н4 CY7C1041D Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит) ВП

Кристалл

1669РА035 ACT-S512K8 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит) ВП

5134.64-6

1669РА03Н4 ACT-S512K8 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит) ВП

Кристалл

9000РУ1У CY7C1041D КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К х 16 бит) ВП

Н18.64-3В

9000РУ2У ACT-S512K8 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К х 8 бит) ВП

Н18.64-3В

9000РУ3У ACT-S128K32 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К х 32 бит) ВП

Н18.64-3В

9000РУ4У ACT-S512K32 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 16Мбит (512К x 32 бит) ВП

5134.64-6

9000РУ5У - КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (256К х 32 бит) ВП

5134.64-6

9000РУ6У CY7C1051D КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (512К х16 бит) ВП

5134.64-6