Part Характеристика процесса Применение, элементная база PDF
Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм
Кол-во фотолитографий, шт.                           8
Средняя проектная норма, мкм                2.0
Подложка:                    КЭС 0,015 / КЭМ 0,003
эпитаксиальный слой:
толщина –                                           (8-75) мкм
удельное сопротивление – (0,67-31,5)
Ом*см
подзатворный окисел                   (60-100) нм
Межслойный диэлектрик –        СТО + БФСС
Пассивация                                ПХО+ПХ SI3N4
MOSFET
NMOS: Vtn=2÷4 В 
Uмакс= 60÷900 В
Полевые N ДМОП транзисторы
Кол-во фотолитографий, шт.                     7-9
Средняя проектная норма, мкм             3.0
Подложка:                                     КЭС 0,01
эпитаксиальный слой:
толщина                                        9-42 мкм
удельное сопротивление – (0,7-16) Омxсм
подзатворный окисел, нм                 42,5-80
Межслойный диэлектрик –                СТФСС

Пассивация:                                           НТФСС

MOSFET
Маломощные     Мощные
Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В
Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт
Полевые Р ДМОП транзисторы
Кол-во фотолитографий, шт.                  7-9
Средняя проектная норма, мкм              3.0
Подложка:                                    КДБ 0,005
эпитаксиальный слой:
толщина                                       15–34 мкм
удельное сопротивление –    (2-21) Ом x см
подзатворный окисел, нм                42,5-80

Межслойный диэлектрик –            СТФСС
Пассивация:                                       НТФСС

MOSFET
Маломощные     Мощные
Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В
Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт