ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» имеет оборудование, которые позволяет изготавливать эпитаксиальные структуры для различных применений.

Мы можем изготавливать эпитаксиальные структуры как на собственных пластинах, так и на пластинах заказчика.

По заказу потребителя возможно наращивание эпитаксиальных слоев кремния на пластинах со скрытыми слоями (ионно-легированные и диффузионные структуры).

Параметр, единица измерения Значение
Диаметр подложки, мм 100, 150
Ориентация (111), (100)
Легирующая примесь подложки Сурьма, Бор
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 3,0 – 15
Легирующая примесь эпитаксиального слоя Фосфор
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом•см n-тип 0,5 – 5,0
Типы однослойных структур n-n+, n-p+  
Эпитаксия на пластинах со скрытыми слоями до 2-х скрытых слоев